行業主要上市公司：華潤微(688396);三安光電(600703);士蘭微(600460);斯達半導(603290);天岳先進(688234)等

本文核心數據：碳化硅產能，市場規模

1、第三代半導體材料分類

第三代半導體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石，目前已實現商業化應用的主要為碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)兩類，具體用途如下：

2、碳化硅定義

——定義

碳化硅(英語：silicon carbide)，化學式SiC，俗稱金剛砂，寶石名稱鉆髓，為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。

被譽為功率半導體皇冠上的明珠，因其優異的材料特性，可以滿足功率電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡劣工作條件的新要求，是半導體材料領域最有前景的材料之一。

——制造流程

碳化硅(SiC)的制造流程從原料至最后的封裝，流程較為復雜。

其中，關于Sic單晶體制造，現在多數SiC單晶是在以Lely法為基礎的方法上獲得的，其基本過程是在石墨坩塌中心內放置多孔石墨環，在兩者間隙中放入Sic粉料。加熱時埔鍋外層溫度高，中心溫度低，夾層中的碳化硅升華分解，集散到低溫的堆據中心，凝結稱為碳化硅單晶體。

關于Si襯底的外延方法，即使用化學氣相沉積，獲得SiC單晶體沉底或摻雜后的半導體結構。

3、碳化硅產業鏈企業梳理

從產業鏈主要參與企業來看，從事碳化硅襯底片的國內廠商主要有天岳先進、三安光電、天科合達、河北網光等;從事碳化硅外延生長的廠商主要有瀚天天成和普興電子等;從事碳化硅功率器件的廠商較多，包括派恩杰、基本半導體、長飛先進、三安光電、長電科技等。

4、商業化進程：多家企業宣布在8英寸上取得突破

通常情況下，晶圓尺寸越大，其單片面積就越大、邊緣浪費更小，單位時間內產出的襯底、外延更多，芯片的產能也就越大、單顆芯片成本也越低。目前，國內SiC市場仍以6英寸為主，但往8英寸升級已經成為共識，2022年，國內多家企業宣布在8英寸上取得突破：

5、市場現狀：電動汽車等應用拉動下，國內SiC產能高速增長

在電動汽車等應用拉動下，國內SiC產能高速增長。2022年，SiC襯底產能達到94萬片/年(折合6英寸)，相較于2021年增加30.6%;外延產能達到84萬片/年(折合6英寸)，相較于2021年增加58.5%;芯片/器件產能達到96萬片/年，相較于2021年增加62.7%。結合部分企業2023年年報情況，初步統計2023年SiC襯底、外延和芯片/器件產能分別為113萬片/年、118萬片/年和144萬片/年。

6、市場趨勢：碳化硅市場前景廣闊

未來我國SiC材料發展趨勢如下：

更多本行業研究分析詳見前瞻產業研究院《中國第三代半導體材料行業發展前景預測與投資戰略規劃分析報告》。

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