行業主要上市公司：華潤微(688396);三安光電(600703);士蘭微(600460);斯達半導(603290);天岳先進(688234)等

本文核心數據：氮化鎵產能

1、第三代半導體材料分類

第三代半導體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石，目前已實現商業化應用的主要為碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)兩類，具體用途如下：

2、氮化鎵定義

——定義

氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶化合物半導體材料，其禁帶寬度為3.4eV，與第一代、第二代半導體材料相比，它具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。

——應用領域

氮化鎵器件在5G通信、新能源汽車、消費電子等領域具有廣泛的應用。在5G通信領域，氮化鎵功率放大器(PA)能夠顯著提高信號傳輸效率和系統性能;在新能源汽車領域，氮化鎵充電器和逆變器能夠提高充電速度和驅動效率;在消費電子領域，氮化鎵LED具有高效、節能、環保等優點，已廣泛應用于照明、顯示等領域。

3、氮化鎵產業鏈企業梳理

盡管碳化硅被更多地作為襯底材料(相較于氮化鎵)，國內仍有從事氮化鎵單晶生長的企業，主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特和芯元基等;從事氮化鎵外延片的國內廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導體、江蘇能華、英諾賽科等;從事氮化鎵器件制造的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電、乾照光電等。

4、商業化進程：國產GaN射頻產品加快向民用市場滲透

2022年，國內12英寸Si基GaN HEMT外延技術獲得突破，蘇州納維、中鎵半導體持續開展GaN襯底研發和產業化，8英寸Si基GaN產品實現量產，國產GaN射頻產品加快向民用市場滲透。

5、市場現狀：外延能高速增長

2022年，GaN產能增加31%。2022年，國內GaN外延產能達到100.2萬片/年(折合4英寸)，相較于2021年增加40.7%。初步統計2023年產能在125萬片/年左右;芯片/器件2022年產能達到76萬片/年，相較于2021年增加31%，初步統計2023年產能達82萬片/年。

6、市場趨勢：應用領域將進一步拓展

未來，隨著新材料、新工藝的不斷涌現和技術的不斷升級迭代，氮化鎵行業將實現更高水平的技術創新，應用場景將進一步拓展。

更多本行業研究分析詳見前瞻產業研究院《中國第三代半導體材料行業發展前景預測與投資戰略規劃分析報告》。

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