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本文核心數據：SiC、GaN電力電子和GaN微波射頻器件市場規模，需求結構

1、第三代半導體材料市場需求概況

隨著“碳達峰、碳中和”戰略的推進實施，綠色、低碳、清潔能源等技術將加速應用，第三代半導體材料作為實現高效電能轉換技術的重要支撐獲得快速發展。

根據CASA公布的數據，2022年我國第三代半導體功率電子和微波射頻兩個領域實現總產值141.7億元，較2021年增長11.7%。其中，SiC、GaN功率電子產值規模達74.3億元，同比增長28.33%，襯底材料約5億元，外延約5.8億元，器件及模組約11.6億元，裝置約51.9億元，其中襯底環節增速最快，達到35%。GaN微波射頻產值達到67.4億元，較上年持平，其中襯底約9.9億元，外延3.9億元，器件及模組11億元，裝置約 42.6億元。

經初步核算，2023年我國SiC、GaN電力電子產值規模達85.4億元，GaN微波射頻產值達70億元，我國第三代半導體產業電力電子和射頻電子兩個領域實現市場規模155億元。

2、SiC、GaN功率電子領域需求分析

——需求結構：最大動力來自于新能源汽車市場

2022年國內市場增長的最大動力來自于新能源汽車市場(含充電樁)、光伏和儲能。新能源汽車市場爆發帶來車用半導體市場迅猛增長,“800V+SiC”高壓平臺的應用加速了SiC的滲透。另外兩大增長動力來自于光伏和儲能市場。

——電動汽車帶動車用SiC市場規模高速增長

近兩年，我國新能源汽車市場進入爆發期，車用半導體價值也高速增長。據中汽協數據，2022年新能源汽車產量同比增長96.9%，2023年同比增長30.3%。當前我國新能源汽車消費正從政策驅動向內生驅動轉變，隨著國產新能源車性價比不斷提升，市場有望保持快速發展勢頭。而具有耐高壓、低阻抗、無拖尾電流等優勢的SiC器件成為首選。

CASA Research數據顯示，2022年我國第三代半導體功率電子在電動汽車及充電樁市場規模約為68.5億元，初步統計2023年市場規模達94億元，同比增長37.5%，預計未來幾年該領域將是第三代半導體功率電子市場增長的主要驅動力。

3、GaN微波射頻領域需求分析

——需求結構：無線電基礎設施需求占比最大

根據CASA的統計數據，2022年，我國5G基站用GaN射頻的需求占比為的56%;安防與航天應用占比達42%。

——無線電基礎設施是影響GaN微波射頻器件市場規模主要因素

據工信部數據，2022年我國全年新建5G基站88.7萬個，加上海外出口，帶動無線基礎設施領域的GaN微波射頻市場達37.52億元，初步統計2023年市場規模達39.2億元。未來幾年，隨著毫米波頻段使用許可的發放，中國有望成為全球最大的毫米波市場。中國聯通發布《中國聯通毫米波技術白皮書V3.0》，更新5G-A時代毫米波總體規劃，2023年視頻率政策情況進行毫米波網絡場景化部署試驗;2024年進行R18等關鍵能力試驗驗證;2025年進行毫米波創新應用部署。5G毫米波將發揮大帶寬低延時優勢，市場有望逐漸起量。

更多本行業研究分析詳見前瞻產業研究院《中國第三代半導體材料行業發展前景預測與投資戰略規劃分析報告》。

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