-
邀請演講分立器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等半導體功率器件產品；其中，MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，相比于功率三極管、晶閘管等電流控制型開關器件，具有易于驅動、開關速度快、損耗低等特點。
在分立器件發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)；20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展；20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發(fā)展起來；20世紀80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導體功率器件正式進入電子應用時代；20世紀90年代，超結MOSFET逐步出現(xiàn)，打破傳統(tǒng)"硅限"以滿足大功率和高頻化的應用需求；2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET，半導體功率器件的性能進一步提升。
當前半導體分立器件產業(yè)正在發(fā)生深刻的變革，其中新材料成為產業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而受到行業(yè)關注，有望成為新型的半導體材料。SiC、GaN等半導體材料屬于新興領域，具有極強的應用戰(zhàn)略性和前瞻性。目前美歐、日韓及臺灣等地區(qū)已經實現(xiàn)SiC、GaN等新材料半導體功率器件的量產。
對國內市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現(xiàn)國產化，而MOSFET、IGBT等分立器件產品由于其技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。不過，國內行業(yè)內企業(yè)通過多年的技術和資本積累，依托國家產業(yè)政策的重點扶持，也已開始布局新型半導體材料領域。
半導體分立器件是電力電子產品的基礎之一，也是構成電力電子變化裝置的核心器件之一，主要用于電力電子設備的整流、穩(wěn)壓、開關、混頻等，具有應用范圍廣、用量大等特點，在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動控制、計算機及周邊設備、網絡通訊等眾多國民經濟領域均有廣泛的應用。從細分市場來看，半導體分立器件受益于智能制造、電力改造、電子通訊升級、互聯(lián)網等普及的趨勢，其市場也逐步向高端推進。近年來，受益于國際電子制造產業(yè)的轉移，以及下游行業(yè)需求的拉動，我國半導體分立器件行業(yè)保持了較快的發(fā)展態(tài)勢。
據國家統(tǒng)計局規(guī)模以上工業(yè)統(tǒng)計數(shù)據顯示，近幾年來，分立器件行業(yè)規(guī)模以上企業(yè)主營業(yè)務收入占半導體行業(yè)規(guī)模以上企業(yè)主營業(yè)務收入的比重維持在22%-25%之間。 據中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計數(shù)據顯示，2017年，我國半導體分立器件全年銷售規(guī)模已達2473.9億元，較2016年增長10.60%。據前瞻測算，2018年全年，我國半導體分立器件行業(yè)銷售額達到2669.3億元。
下游市場需求直接拉動了半導體分立器件的生產規(guī)模。改革開放以來，特別是進入21世紀后，我國半導體分立器件行業(yè)內企業(yè)不斷增加，分立器件的產量隨之攀升；2011年，我國半導體分立器件的整體生產規(guī)模為4134.1億只，至2017年增長至7301.5億只，年均復合增長率達到9.94%。據前瞻測算，2018年全年，半導體分立器件行業(yè)生產規(guī)模達到7754.9億只。
掃一掃
下載《前瞻經濟學人APP》進行提問
與資深行業(yè)研究員/經濟學家互動交流讓您成為更懂行業(yè)的人
