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本文核心數據：NAND FLASH市場規模、競爭格局、前景預測

1、NAND FLASH發展概述

從SLC到QLC，每個存儲單元能存儲的數據從1位增加至4位，狀態從2種增加至16種，存儲空間迅速增加。過去NAND Flash為2D平面結構，相比之下3D NAND使用多層垂直堆疊技術，擁有更大的容量、更低的功耗、更好的耐用性以及更低的成本。目前3D技術正在穩步推進中，未來的發展方向就是層數的繼續堆疊。

3D NAND閃存技術的進步，讓三星Samsung、海力士SK Hynx、西部數據WD、美光Micron、鎧俠Kioxia、英特爾Intel等重視存儲芯片的半導體廠商從中嘗到了甜頭，從全球半導體廠商發展的趨勢來看，在存儲芯片領域發力獲得創新能力具備強大產能的半導體廠商，也紛紛獲得了較好的營收增長。由此也帶來了存儲芯片制造領域的軍備競賽，業內俗稱蓋樓大賽。

根據全球NAND閃存廠商的技術線路圖，三星、海力士、美光都計劃在2020年推出128層的(TLC/QLC)，而在2020年后，QLC將逐步發展并成為主流。在2018年后，中國的長江儲存技術出現在世界視野中，中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商，目前產能和產量都處于提升階段。

2、NAND FLASH市場規模

2021年全球NAND閃存芯片銷售額達669億美元，同比增長18.20%。伴隨著消費電子需求冷卻，2022年銷售額達到587億美元，同比下降12.26%。

當前全球NAND市場規模主要集中于美國、中國、歐洲和日本地區，四大地區合計市場份額達79%，其中得益于智能手機的需求，中國地區對NAND閃存的市場銷售額占比全球最大，根據Yole的數據，2022年中國地區NAND閃存市場銷售額占全球33%。

3、NAND FLASH市場競爭格局

NAND Flash市場競爭較DRAM 更加激烈。供給端存在三星、鎧俠、美光、西部電子、海力士等多家廠商占據較大份額，2021年三星占據34%、鎧俠電子市場份額為19%、WDC占據14%，具體如下：

4、NAND FLASH市場趨勢及發展前景

——NAND FLASH市場趨勢：3D化

3D化是當前NAND閃存引領發展的主要趨勢，各NAND閃存大廠都在3D堆疊上加大研發力度，盡可能提升閃存的存儲密度。

——NAND FLASH前景預測

閃存已經成為智能手機的一個重要組成部分。NAND閃存的需求呈指數級增長，主要受智能手機平均容量增長的推動。智能手機的NAND閃存可以顯著提高瀏覽網頁、郵件加載、游戲甚至Facebook等社交網站的性能。隨著智能手機的普及，各家公司都在添加額外的功能和應用程序，以將自己的產品與其他制造商區分開來。例如，制造商正在將手勢控制、指紋掃描儀和GPS等功能集成到設備中，這提振了對NAND閃存的需求，預計2028年NAND FLASH市場規模將約為1040億美元。

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