存儲芯片行業主要上市公司：中芯國際(688981)、兆易創新(603986)、紫光國微(002049)、普冉股份(688766)、聚辰股份(688123)、瀾起科技(688008)、北京君正(300223)等

本文核心數據：DRAM/NAND Flash/NOR Flash市場份額、市場集中度

1、全球存儲芯片行業競爭層次

目前，全球存儲芯片市場高度集中，代表企業包括韓國的三星、SK海力士;美國的美光、西部數據;日本的鎧俠等，我國企業中長江存儲、長鑫存儲分別在NAND Flash、DRAM市場中不斷發力，已在部分領域實現突破，逐步縮小與國外原廠的差距;在NOR Flash全球市場中，我國企業兆易創新占據前三，兆易創新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發能力，扮演中國半導體存儲產業發展的重要角色。

2、全球存儲芯片行業市場份額

從存儲芯片細分產品來看，DRAM和NAND Flash占據了存儲芯片95%左右的市場份額，DRAM、NAND Flash和NOR Flash為存儲芯片三大主流產品。2020年，全球DRAM市場中三星、SK海力士、美光市場份額分別達到42.71%、29.27%、22.52%;NAND Flash經過幾十年的發展，已經形成了由三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩定市場格局;全球NOR Flash市場中華邦、旺宏、兆易創新排名前三，市占率分別為25.4%、22.5%、15.6%。

3、全球存儲芯片行業市場集中度

整體來看，全球存儲芯片行業集中度較高，從存儲芯片三大主流產品來看，2020年DRAM和NAND Flash市場集中度(CR3、CR5)較2019年略有下降，但仍然保持在較高水平(2020年DRAM和NAND Flash市場CR5分別達到98.48%、89.17%，NOR Flash市場CR5也達到78.4%)。

4、全球存儲芯片行業企業布局及競爭力評價

從全球存儲芯片企業業務布局來看，三星、SK海力士、美光在主要存儲芯片產品NAND Flash和DRAM產品中占據絕對優勢地位，鎧俠、西部數據、長江存儲主要布局在NAND Flash領域，兆易創新產品包含NOR Flash、小容量NAND Flash、以及少量DRAM(由合肥長鑫生產)。國外企業大多采取IDM模式(企業業務覆蓋存儲芯片的設計、制造、封裝和測試的所有環節)，我國企業中兆易創新采取Fabless模式(無晶圓生產線集成電路設計模式)。

5、全球存儲芯片行業競爭狀態總結

從五力競爭模型角度分析，存儲芯片行業現有競爭者數量較少，行業集中度較高，企業紛紛加大存儲芯片新技術工藝的推進力度，行業現有競爭者競爭較為激烈;從上下游來看，由于存儲芯片行業被國際巨頭壟斷，存儲芯片對上游供應商和下游購買者的議價能力較高;從替代品威脅來看，由于行業產品特性和技術特征，存儲芯片行業替代品威脅較小;從潛在進入者威脅來看，目前，對于潛在進入者而言，存儲芯片行業市場對手過于強大，受資金和技術限制，行業進入壁壘較高，因此存儲芯片行業潛在進入者的威脅不大。

以上數據參考前瞻產業研究院《中國存儲芯片行業市場需求與投資前景預測》，同時前瞻產業研究院還提供產業大數據、產業研究、產業鏈咨詢、產業圖譜、產業規劃、園區規劃、產業招商引資、IPO募投可研、招股說明書撰寫等解決方案。

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