在國(guó)家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下，半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展，推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓寬。2016年以來(lái)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片行業(yè)涌現(xiàn)出一批新型企業(yè)，為打破國(guó)外企業(yè)的壟斷做出了杰出貢獻(xiàn)。

存儲(chǔ)芯片行業(yè)主要上市公司：中芯國(guó)際(688981)、兆易創(chuàng)新(603986)、紫光國(guó)微(002049)、聚辰股份(688123)、瀾起科技(688008)等

本文核心數(shù)據(jù)：全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)層次、中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展歷程、中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)廠商競(jìng)爭(zhēng)力分析。

1、全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)集中度高，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)處于成長(zhǎng)階段

存儲(chǔ)芯片，又稱半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。存儲(chǔ)芯片具有體積小、存儲(chǔ)速度快等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤(pán)、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(pán)等領(lǐng)域。

目前全球儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)被海外企業(yè)壟斷。DRAM領(lǐng)域，三星、美光、SK海力士占據(jù)95%的市場(chǎng)份額;NAND Flash領(lǐng)域被三星、美光、SK海力士、英特爾壟斷;NOR Flash領(lǐng)域海外壟斷程度最低，旺宏、華邦、兆易創(chuàng)新市占率前三，合計(jì)占據(jù)70%份額。

我國(guó)具有設(shè)計(jì)存儲(chǔ)芯片的頭部企業(yè)主要包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新、紫光國(guó)芯、中芯國(guó)際以及華虹半導(dǎo)體等，主要存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)布局為NOR Flash及閃存芯片設(shè)計(jì)。

2、中國(guó)存儲(chǔ)芯片奮起直追

雖然目前我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)全球市場(chǎng)份額較低，但其發(fā)展迅速，目前技術(shù)水平已達(dá)到行業(yè)主流水準(zhǔn)。2016年以前，我國(guó)還不具有存儲(chǔ)芯片研發(fā)、生產(chǎn)能力，芯片需求完全依賴進(jìn)口。2016-2018年，武漢新芯、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)相繼成立。

2018-2020年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)攻克64層3DNAND技術(shù)并開(kāi)始量產(chǎn)，打破了NAND Flash芯片的國(guó)際壟斷。2021年，兆易創(chuàng)新推出首款自有品牌DDR4產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)、流片，到封測(cè)、驗(yàn)證的全國(guó)產(chǎn)化。

3、長(zhǎng)江存儲(chǔ)完成128層NAND Flash存儲(chǔ)芯片技術(shù)突破

存儲(chǔ)芯片有多種細(xì)分市場(chǎng)，以NAND Flash和DRAM存儲(chǔ)芯片為主。長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為我國(guó)NAND Flash龍頭企業(yè)，完成128層NAND Flash存儲(chǔ)芯片技術(shù)突破。Trendforce數(shù)據(jù)顯示，三星、海力士、美光都計(jì)劃在2020年推出128層的(TLC/QLC)，而在2020年后，QLC將逐步發(fā)展并成為主流。

在2018年后，中國(guó)的長(zhǎng)江儲(chǔ)存技術(shù)出現(xiàn)在世界視野中，中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商，目標(biāo)第三季進(jìn)入投片、年底前量產(chǎn)，擬用于UFS、SSD等各類終端產(chǎn)品，并同時(shí)出貨給模組廠。

4、合肥長(zhǎng)鑫DRAM存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能快速擴(kuò)張

在DRAM存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，合肥長(zhǎng)鑫完成快速增產(chǎn)。根據(jù)Trendforce數(shù)據(jù)，2020年美光和南亞尚未看到增產(chǎn)計(jì)劃，三星與海力士有望在2021年分別擴(kuò)產(chǎn)3萬(wàn)片/月、1萬(wàn)片/月，合肥長(zhǎng)鑫將迎來(lái)快速增產(chǎn)的階段，有望從2020年3季度的4萬(wàn)片/月到2021年4季度增產(chǎn)至8.5萬(wàn)片/月。

5、中國(guó)存儲(chǔ)芯片：后來(lái)居上，前途廣闊

中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商發(fā)展力強(qiáng)，成長(zhǎng)空間較大。從中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，市場(chǎng)主要由國(guó)外存儲(chǔ)芯片巨頭領(lǐng)導(dǎo)，細(xì)分領(lǐng)域也落后于國(guó)外及臺(tái)灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等)，但近年來(lái)國(guó)內(nèi)廠商奮力追趕，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐步縮小與國(guó)外原廠的差距，其中，兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場(chǎng)前三，聚辰股份在EEPROM芯片領(lǐng)域市占率全球第三，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3DNAND存儲(chǔ)芯片，直接跳過(guò)96層，加速趕超國(guó)外廠商先進(jìn)技術(shù)。值得注意的是，兆易創(chuàng)新集團(tuán)旗下還包含長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)(CXMT)，意味著兆易創(chuàng)新集團(tuán)同時(shí)握有中國(guó)NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的重要角色。

總而言之，中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展形勢(shì)較為樂(lè)觀，但還有一段漫長(zhǎng)的路要走。

以上數(shù)據(jù)參考前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)需求與投資前景預(yù)測(cè)》，同時(shí)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)研究、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資、IPO募投可研、招股說(shuō)明書(shū)撰寫(xiě)等解決方案。

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