中國對美韓進口太陽能多晶硅采取臨時反傾銷
附:商務部公告2013年第48號 關于對原產于美國和韓國進口太陽能級多晶硅的反傾銷初裁公告
【發布單位】中華人民共和國商務部
【發布文號】公告2013年第48號
【發布日期】2013-07-18
根據《中華人民共和國反傾銷條例》(以下稱《反傾銷條例》)的規定,2012年7月20日,商務部發布第40號公告,決定對原產于美國和韓國的進口太陽能級多晶硅反傾銷立案調查。該產品歸在《中華人民共和國進出口稅則》:28046190。該稅則號項下用于生產集成電路、分立器件等半導體產品的電子級多晶硅不在本次調查產品范圍之內。
商務部(以下稱調查機關)對原產于美國和韓國的進口太陽能級多晶硅(以下稱被調查產品)是否存在傾銷及傾銷幅度、國內多晶硅產業是否受到損害及損害程度、以及傾銷與損害之間的因果關系進行了調查,根據調查結果和《反傾銷條例》第二十四條的規定,調查機關作出初步裁定(見附件),并就有關事項公告如下:
一、初步裁定
調查機關初步裁定,在本案調查期內,被調查產品存在傾銷,中國多晶硅產業受到實質損害,而且傾銷與損害之間存在因果關系。
二、被調查產品范圍及措施范圍
本案被調查產品及實施措施產品的具體描述如下:
調查和措施范圍:原產于美國和韓國的進口太陽能級多晶硅。
被調查產品名稱:太陽能級多晶硅。英文名稱:Solar-Grade Polysilicon。
被調查產品的具體描述:以氯硅烷為原料采用(改良)西門子法和硅烷法等工藝生產的,用于生產晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產品。
被調查產品電學參數為:基磷電阻率<300歐姆?厘米(Ω ? cm);基硼電阻率<2600歐姆?厘米(Ω ? cm);碳濃度>1.0×1016(at/cm3);n型少數載流子壽命<500μs;施主雜質濃度>0.3×109;受主雜質濃度>0.083×109 。
主要用途:主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產,是生產晶體硅光伏電池的主要原料。
該產品歸在《中華人民共和國進出口稅則》:28046190。該稅則號項下用于生產集成電路、分立器件等半導體產品的電子級多晶硅不在本次調查產品范圍之內。
三、臨時反傾銷措施
根據《反傾銷條例》第二十八條和二十九條的規定,調查機關決定采用保證金形式實施臨時反傾銷措施。2013年 7月24日起,進口經營者在進口被調查產品時,應依據本初裁決定確定的各公司的傾銷幅度向中華人民共和國海關提供相應的保證金。初裁認定的各公司傾銷幅度如下:
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