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本文核心數據：SiC MOSFET技術路線，SiC MOSFET競爭格局

——SiC MOSFET發展歷程

SiC MOSFET是近年來MOSFET行業進行技術迭代的主要方向，相較于其他可用技術，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表現出顯著的性能提升，為眾多電子應用帶來了新的可能性。目前，SiC MOSFET的發展主要經歷了三個階段，其發展歷程具體如下：

——SiC材料的優越性

SiC即碳化硅，作為一種半導體材料，具有可耐高壓、高溫、高頻的性質，在助力設備輕量小型化上具有較為明顯的優勢。SiC的禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、飽和電子漂移速率高、抗輻射能力強等性質，且器件在關斷過程中不存在電流拖尾現象，開關損耗低，可以大幅提高開關頻率。碳化硅材料的優越性能使得相同規格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，導通電阻降低為1/200，尺寸減小為1/10;相同規格的使用MOSFET的逆變器與硅基IGBT相比，總能量損失小于1/4。

——SiC MOSFET技術路線

功率SiCMOSFET主要有2種技術路線，根據柵極工藝分為平面型MOSFET(VDMOS)和溝槽型MOSFET(TMOS)，。多數產品均采用SiC VDMOS結構，其工藝簡單、阻斷能力強，然而導通電阻較大;SiC TMOS是目前的研究熱點，其溝道遷移率高，但工藝較為復雜，受柵氧可靠性影響導致阻斷能力較差。

——SiC MOSFET競爭格局

近年來，隨著新能源市場的爆發，電動汽車、光伏、儲能等下游應用驅動下，包括SiC MOSFET在內的額碳化硅功率器件迎來了新一輪增長期。結合TrendForce數據，2022年SiC功率半導體的主要廠商的市場份額情況，意法半導體(36.5%)，其次是英飛凌(17.9%)、Wolfspeed(16.3%)、安森美(11.6%)、羅姆(8.1%)占據了較大的部分，剩余廠商的僅占9.6%，可以認為目前SiC MOSFET市場主要依舊掌握在海外廠商手中。前瞻匯總的SiC MOSFET主要廠商產品概況如下：

——SiC MOSFET發展趨勢

當前，在650-3300V的電壓范圍內，SiC MOSFET已形成了較為成熟的技術，同時相關產品已逐步推出，目前，為提高半導體元器件的性能與可靠性，未來SiC MOSFET的發展方向主要聚焦于以下幾個方面：

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